學歷

國立清華大學電機系     1988-1992

美國普渡大學電機碩士   1995-1998

美國普渡大學電機博士   1998-2000

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工作經驗

鴻亞光電  資深工程師                                        2002~2003

美國E2O Communications Inc.  資深工程師                     2000~2002

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研究領域

半導體雷射二極體

半導體光電材料分子束磊晶成長 

研究計畫

-- 多波長分佈回饋式雷射陣列  此一工研院學界研究案，目標是研製低密度多波多工系統(CWDM)用雷射二極體陣列。利用非對稱型多重量子井結構，以達到在同一片磊晶片上製造包含1.51, 1.53, 1.55, 1.57um四個波長的雷射陣列，提高集積度,降低成本。

-- 半導體雷射光電特性模擬  電激發式垂直共振腔表面發射型雷射光電特性模擬。利用穿隧接面降低串連電阻與熱消耗，並使用濕氧化絕緣層限制橫向電流擴散。目標是設計出高速光纖通信雷射光源。

-- 氮化鎵系列藍光/紫外光半導體材料分子束磊晶成長  本校新採購分子束磊晶成長系統(MBE)將於2005年六月裝機運作，初期將著重在氮化鎵系材料的磊晶製程建立，長期目標是成長藍光/紫外光半導體發光元件。此為長期與持續性計畫，並取得奈米中心的合作與支持。

-- 氮化鎵雷射劈裂鏡面製作  氮化鎵雷射是新一代DVD player的關鍵零組件，因氮化鎵系薄膜材料與基板原子排列方向不一致，使得無論是cleaved facet或乾蝕刻鏡面均有失光與前後鏡面不平行等問題存在，影響雷射性能。本計畫目標是利用蝕刻與特別的劈裂技術，在氧化鋁基板上製作氮化鎵劈裂鏡面。

研究成果

--光纖通信用光激發式1.31μm垂直共振腔表面發射型雷射二極體(VCSEL)

臨界激發功率1.6mW，單模出光達4mW，頻譜寬度小於0.22nm，波長之溫度漂移小於0.1nm/˚C，且單模功率超過4mW。

 --電激發式1.31μm垂直共振腔表面發射型雷射二極體(VCSEL)

使用晶片熔合技術結合高增益的AlGaInAs活性層與GaAs/AlGaAs DBR，並使用介電質DBR組成元件結構。已完成PICS3D的結構與光電特性模擬，正進行製造實驗中。以下為模擬結果: