畢業級別 |
專題生 |
實務專題主題 |
續升研究所 |
107 |
陳正奇 |
具砷化銦通道之銻化物高電子遷移率電晶體的衝擊離子化速率之探討 |
交通大學光電所 |
<論文發表> 2018物理年會 壁報論文“On the parameters determining impact ionization rates for the InAs channel of Sb-based high-electron-mobility transistors” |
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107 |
胡聖浩 |
具P型摻雜閘極的氮化鎵高電子遷移率電晶體之元件結構設計 |
交通大學光電系統所 |
107 |
許鈞翔 |
銻化銦高電子遷移率電晶體的結構模擬參數之研究 |
彰師大電子所 |
106 |
張羽瑄 |
短通道空乏型與增強型銻化銦高電子遷移率電晶體的衝擊離子化效應之模擬與分析 |
交通大學電子所 |
106 |
王致傑 |
含銻具砷化銦通道的型式-Ι與型式-ΙΙ高電子遷移率電晶體在衝擊離子化效應下之元件特性差異 |
交通大學電子所 |
<論文發表> 2017物理年會 壁報論文“Holes responsible for substantial difference in impact ionization current between Type-I and Type-II structures for Sb-based InAs-channel high-electron-mobility transistors” |
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106 |
李冠樺 |
氮化鎵藍光發光二極體的結構尺寸與電極尺寸影響電流擁聚及元件光電性能的模擬分析 |
交通大學光電所 |
106 |
王華緯 |
高溫退火對鋁奈米薄膜結晶性與表面型態之影響 |
清華大學光電所 |
<論文發表> 2017物理年會 壁報論文“Annealing effect on crystallinity and surface morphology of epitaxial Al(111) grown on sapphire substrate” |
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106 |
何冠翰 |
光束入射不同位置引致光電流強度之模擬分析 |
清華大學電子所 |
105 |
吳毓珣 |
氮化鎵藍光發光二極體歐傑復合與電流擁聚效應之模擬分析 |
交通大學電子所 |
105 |
陳昱昇 |
短通道高介電率金屬閘極絕緣層覆矽金氧半場效電晶體之衝擊離子化效應模擬與分析 |
交通大學影像生醫光電所 |
105 |
陳政穎 |
p-GaN閘極結構參數對於氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性之影響 |
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104 |
范雁婷 |
具砷化銦通道的含銻Type-II高電子遷移率電晶體之衝擊離子化效應模擬分析 |
交通大學電子所 |
<論文發表> 2015物理年會 壁報論文 優良獎“Simulation and analysis of the impact ionization current in InAs/AlSb type-II high-electron-mobility transistors” |
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104 |
鄧志偉 |
歐傑復合與電流擁聚效應造成氮化鎵發光二極體之量子效率低垂的研究 |
交通大學顯示所 |
<論文發表> OPTIC 2014 壁報論文“Efficiency droop in GaN light-emitting diodes caused by Auger recombination and enhanced by current crowding effect” |
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104 |
陳羿瀚 |
Shockley-Read-Hall複合對氮化鎵發光二極體電壓-電流特性及發光效率之研究 |
中央大學電機所 |
103 |
賴世偉 |
藍光LED之Auger Effect對發光效率的影響探討 |
中山大學光電所 |
103 |
秦偉庭 |
Type-II P型通道含銻高電子遷移率電晶體之設計與探討 |
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103 |
王韻琪 |
衝擊離子化對含銻之砷化銦通道高電子遷移率電晶體的元件特性影響 |
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102 |
池允中 |
藍光發光二極體效率低垂之研究 |
中山大學電機所 |
101 |
賴奎亨 |
氮化鎵發光二極體低操作電壓之研究 |
彰師大電子所 |
101 |
賴詩韻 |
極化效應對氮化鎵發光二極體效率低垂之影響 |
交通大學電子所 |
101 |
鄧旭昇 |
三接面太陽能電池的特性模擬 |
中央大學電機所 |
100 |
許文權 |
極化效應在多波段GaN類白光發光二極體的影響之模擬 |
彰師大電子所 |
100 |
張耀中 |
極化效應在氮化鎵高介電常數金氧半場效電晶體之模擬 |
彰師大電子所 |
100 |
洪瑋駿 |
極化效應對高銦含量之紅光氮化銦鎵發光二極體特性的影響之模擬與分析 |
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99 |
林君萍 |
多波段GaN類白光發光二極體之模擬 |
清華大學電子所 |
99 |
單建勳 |
高銦含量之紅光氮化銦鎵發光二極體結構設計與特性模擬 |
交通大學顯示所 |
99 |
吳宛蓉 |
氮化鎵高介電常數金氧半場效電晶體之模擬 |
彰師大電子所 |
98 |
吳崑誠 |
多接面太陽能電池結構設計與模擬 |
彰師大電子所 |
98 |
傅書豪 |
InGaAs/InP金氧半場效電晶體之模擬分析 |
中興大學電機所 |
98 |
蔡孟錕 |
氮化鎵發光二極體異質結構之LEPTOS模擬 |
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98 |
黃韋勳 |
GaN金氧半場效電晶體之結構設計與分析 |
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97 |
陳俞均 |
具有高銦組成比例的砷化銦鎵磊晶之x-光繞射分析 |
中興大學電機所 |
97 |
賴宏奎 |
InP/InGaAsSb/InP無障壁尖端的雙異質接面雙極性電晶體設計與模擬 |
彰師大電子所 |
97 |
林裕敦 |
365 nm AlGaN/GaN紫外光發光二極體特性模擬 |
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97 |
張育慈 |
InGaN/AlGaN高電子遷移率電晶體之模擬 |
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96 |
黃雅惠 |
AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體之特性模擬(二) |
彰師大電子所 |
96 |
呂政道 |
GaN藍光發光二極體電性與光性模擬 |
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96 |
林宗瑋 |
InGaN綠光發光二極體電性與光性模擬 |
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96 |
蘇志哲 |
InP/InGaAs/InP雙異質接面雙極性電晶體特性模擬 |
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95 |
劉振邦 |
氮化鎵藍光LED特性模擬 |
彰師大電子所 |
95 |
鄭文嘉 |
AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體之特性模擬(一) |
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